英特尔 3D 封装最新进展，开发 FIVR 以稳定 3D 堆叠系统功率

集微网音讯，英特尔公司在封装规划中开发了一种嵌入式电感的全集成稳压器（Fully Integrated Voltage Regulators，FIVR），用于控制芯片在 3D-TSV 堆叠体系中的功率。

据 eeNews 报导，电压控制器对于 3D 封装至关重要，后者将根据工作负载的最优流程节点完成的 chiplet 封装在一起。这是一种灵敏且经济高效的方法，可以创建多种配置，但需要更复杂的电源控制。

英特尔在俄勒冈州和亚利桑那州的团队使用 0.9nH-1.4nH 3D-TSV 根据封装嵌入式电感器开发了一种 FIVR，其功率比低退出调节器（LDO）高 37.6%，在 10mA-1A 负载范围内完成了平整的功率，而无需相互通信。

图源：eeNews

FIVR 在根据 22nm 工艺的裸片上完成，选用三种 TSV 友好型电感结构，具有多面积与功率的权衡选项。这些很容易并行地构建模块化规划，可以服务于广泛而不同的 chiplet。

该规划在最近的 VLSI 2022 研讨会上进行了评论。