美光 1β DRAM 内存年底日本量产，1γ 预计 2024 年量产

6 月 11 日音讯，据台湾经济日报音讯，台湾美光今天组织媒体观赏美光 A3 厂，台湾美光董事长卢东晖宣布表示，A3 厂将下半年导入先进极紫外光设备，为美光 1γ DRAM 提前量产预做准备。

据介绍，美光规划 2024 年量产 1γ DRAM 芯片。

据报道，美光的 DRAM 制造基地主要在中国台湾和日本，其间 1α DRAM 已在台量产。另外，1β DRAM 将于今年末在日本量产，之后将转移到台湾出产。

了解到，内存厂商上一代 DRAM 芯片通过为 1X、1Y、1Z 区别工艺，1Xnm 工艺相当于 16-19nm 等级、1Ynm 相当于 14-16nm，1Znm 工艺相当于 12-14nm 等级。据业界音讯，最新的 1α、1β 和 1γ 或许别离相当于 14-12nm、12-10nm 以及 10nm。