无锡吴越半导体氮化镓 GaN 晶体出片，全球首例厚度突破 1 厘米

12 月 15 日，吴越半导体 GaN 晶体出片典礼在无锡高新区举办。

据无锡高新区消息，典礼上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度打破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略结构协议。

图片来历：无锡高新区在线

无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专心于氮化镓自支撑衬底的开发、出产和销售。

2020 年 2 月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可添补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。